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电子元器件详细资料 » IC[19092] » FQB19N20CTM
型号:FQB19N20CTM类别:FET - 单制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
系列QFET™
制造商Fairchild Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)200V
电流_连续漏极(Id)0a025000C19A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C170 毫欧 @ 9.5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs53nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1080pF @ 25V
功率_最大3.13W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装TO-263-2
包装Digi-Reel®

供应商

深圳市裕硕科技有限公司雷小姐086-0755-23613962/82706142
深圳市向鸿伟业电子有限公司李先生0755-82561519
深圳市华雄半导体(集团)有限公司王0512-67241533
深圳兴中扬电子科技有限公司张生0755-83747144
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